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N沟道增强型MOS EMB35N04V EDFN 3X3 40V场效应晶体管

地区：广东 东莞
认证： 无

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N沟道增强型MOS EMB35N04V EDFN 3X3 40V场效应晶体管


40V场效应晶体管 EMB35N04V的主要参数：

BVDSS 40V
RDSON(MAX) 28mΩ
ID 12A



40V场效应晶体管 EMB35N04V的产品参数：

参数/测试条件
 符号 数值 单位
漏极-源极电压
 BVDSS 40 V
栅极-源极电压
 VGS ±20
漏极电流-连续
 TC=25℃ ID
 12 A
TC=100℃
 9
漏极电流-脉冲
 IDM 48
雪崩电流
 IAS 8
雪崩能量 L=0.1mH,ID=8A,RG=25Ω EAS 3.2 mJ
重复雪崩能量 L=0.05mH EAR 1.6
功耗
 TC=25℃
 PD
 21 W
TC=100℃
 8.3
功耗
 TA=25℃
 PD
 2.5 W
TA=100℃
 1
温度范围
 Tj,Tstg -55~150 ℃
结到管壳的热阻
 RθJC 6 ℃/W
结到环境的热阻
 RθJA 50



40V场效应晶体管 EMB35N04V的封装外形尺寸：

型号/规格

EMB35N04V

品牌/商标

杰力

封装形式

EDFN 3X3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率