产品详情

EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市宇芯电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺


EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管


低功耗晶体管 EMB32N03P的极限参数：

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS 30 V
栅极-源极电压 VGS ±20 V
漏极电流-连续 ID 5.5 A
漏极电流-脉冲 IDM 24 A
功耗 PD 1.47 W
温度范围 Tj,Tstg -55~150 ℃
结到管壳的热阻 RθJC 18 ℃/W
结到环境的热阻 RθJA 85 ℃/W



低功耗晶体管 EMB32N03P的电气特性：




型号/规格

EMB32N03P

品牌/商标

杰力

封装形式

SOT-89

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率