30V/5A 杰力MOS 管 EMB32N03JS SOT-23 N沟道场效应管

30V/5A 杰力MOS 管 EMB32N03JS SOT-23 N沟道场效应管

N沟道场效应管 EMB32N03JS的主要参数：

• 漏极-源极电压：30V
• 最大值静态漏源导通电阻：35mΩ
• 漏极电流-连续：5A

N沟道场效应管 EMB32N03JS的极限参数：

• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-脉冲：20A
• 功耗：1.04W
• 温度范围：-55~150℃

N沟道场效应管 EMB32N03JS的电气特性：

• 漏极-源极击穿电压：30V
• 栅极开启电压：1.5V（典型值）
• 栅极漏电流：±100nA
• 最大值静态漏源导通电阻：35mΩ
• 输入电容：323pF
• 输出电容：75pF
• 反向传输电容：53pF
• 栅源电荷密度：1.1nC
• 栅漏电荷密度：2.2nC
• 开启延迟时间：8nS
• 上升时间：12nS
• 关断延迟时间：28nS
• 下降时间：15nS

N沟道场效应管 EMB32N03JS的典型特性曲线：