晶体管SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:93.6 A
Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:54 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:104 W
配置:Single

SIR668ADP-T1-RE3
商标名:TrenchFET, PowerPAK
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SIR 
商标:Vishay / Siliconix 
下降时间:10 ns 
产品类型:MOSFET 
上升时间:18 ns 
工厂包装数量:3000 
子类别:MOSFETs 
典型关闭延迟时间:36 ns 
典型接通延迟时间:21 ns
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

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