晶体管 SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3

制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:52 A
Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:19.8 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:39 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel 
商标:Vishay / Siliconix 
下降时间:6 ns 
产品类型:MOSFET 
上升时间:6 ns 
工厂包装数量:3000 
子类别:MOSFETs 
典型关闭延迟时间:20 ns 
典型接通延迟时间:11 ns

SIS862ADN-T1-GE3

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