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产品属性
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BSC026N04LS Infineon只做进口原装产品,非台产!
一般信息:
数据列表:BSC026N04LS;
标准包装 :5,000
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列:OptiMOS™
其它名称:BSC026N04LSATMA1-ND
BSC026N04LSATMA1TR
SP001067014
规格:
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2300pF @ 20V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),63W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 50A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TDSON-8
封装/外壳:8-PowerTDFN
文档:
其它有关文件:Part Number Guide
PCN 组件/产地:Mult Device Assembly Site Add 6/Sep/2017
图像和媒体:
产品相片:8-Power TDFN
特色产品:Data Processing Systems
Solutions for Embedded Systems
BSC026N04LS
INFINEON(英飞凌)
SMD
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
BSC026N04LS
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
1(无限)