供应： 晶体管 FDC6327C

深圳市中杰盛科技优势供应： FDC6327C： FDC6327C： FDC6327C

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.7 A, 1.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 69 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV, 1.5 V
Qg-栅极电荷: 4.5 nC, 4 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 mW
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDC6327C
配置: Dual
下降时间: 3 ns, 3 ns
正向跨导 - 小值: 7.7 S, 4.5 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns, 14 ns
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 12 ns, 14 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 7 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC6327C_NL
单位重量: 36 mg