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深圳市中杰盛科技优势供应: IPB60R160C6ATMA1: IPB60R160C6ATMA1: IPB60R160C6ATMA1
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 23.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 176 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C6
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
包装数量:1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 96 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB60R160C6 SP000687552
单位重量: 4 g
Infineon
CoolMOS C6
- 55 C
+ 150 C