供应： 晶体管 IPC50N04S5L5R5ATMA1

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2 ns
包装数量：5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
零件号别名: IPC50N04S5L-5R5 SP001273424
单位重量: 111.100 mg