供应：IGBT 模块 FF200R33KF2C

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: N  

配置: Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO: 3300 V

集电极—射极饱和电压: 3.4 V

在25 C的连续集电极电流: 330 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 2.2 kW

封装 / 箱体: IHM 73X140-8

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 73 mm  

商标: Infineon Technologies  

安装风格: Screw  

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 4  

子类别: IGBTs