供应分立半导体 > 晶体管 > MOSFET > IRF7313PBF

产品种类:  MOSFET   
制造商:  Infineon   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  SMD/SMT   
封装 / 箱体:  SO-8   
通道数量:  2 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  30 V   
Id-连续漏极电流:  6.5 A   
Rds On-漏源导通电阻:  46 mOhms   
Vgs - 栅极-源极电压:  20 V   
Qg-栅极电荷:  22 nC   
最小工作温度:  - 55 C   
最大工作温度:  + 150 C   
配置:  Dual   
通道模式:  Enhancement   
封装:  Tube   
商标:  Infineon / IR  
下降时间:  17 ns  
高度:  1.75 mm  
长度:  4.9 mm  
Pd-功率耗散:  2 W  
上升时间:  8.9 ns  
工厂包装数量:  3800  
晶体管类型:  2 N-Channel  
类型:  Power MOSFET  
典型关闭延迟时间:  26 ns  
典型接通延迟时间:  8.1 ns  
宽度:  3.9 mm  
单位重量:  540 mg