供应STB12NM50ND

地区:广东 深圳
认证:

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产品种类:  MOSFET   
制造商:  STMicroelectronics   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  SMD/SMT   
封装 / 箱体:  TO-263-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  500 V   
Id-连续漏极电流:  11 A   
Rds On-漏源导通电阻:  380 mOhms   
封装:  Reel   
商标:  STMicroelectronics  
Pd-功率耗散:  100 W  
系列:  N-channel MDmesh  
工厂包装数量:  1000  
晶体管类型:  1 N-Channel  
单位重量:  4 g 

产品种类:  MOSFET   
制造商:  STMicroelectronics   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  SMD/SMT   
封装 / 箱体:  TO-263-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  500 V   
Id-连续漏极电流:  11 A   
Rds On-漏源导通电阻:  380 mOhms   
封装:  Reel   
商标:  STMicroelectronics  
Pd-功率耗散:  100 W  
系列:  N-channel MDmesh  
工厂包装数量:  1000  
晶体管类型:  1 N-Channel  
单位重量:  4 g 

 

型号/规格

STB12NM50ND

品牌/商标

ST

产品种类

MOSFET

制造商

STMicroelectronics

封装

TO-263-3

晶体管极性

N-Channel