.产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 63 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 9 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 151 W
上升时间: 11 ns
系列: CoolMOS C6
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6XT SP
单位重量: 4 g
