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产品属性
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一、参数
型号:IRFP4568PBF
品牌:IR
封装:TO-247
类别:MOSFET管
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 171A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 227nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10470pF @ 50V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 517W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.9 毫欧 @ 103A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
包装方式:管装
二、IRFP4568PBF优势特点
改进的闸门,雪崩和动态dV /dt
强度
全特征的电容和雪崩
SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt的能力
无铅
三、应用程序
GD
四、实物图
IRFP4568PBF
IR
TO-247
MOSFET管
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150V
171A(Tc)
10V
5V @ 250μA
227nC @ 10V
10470pF @ 50V
-55°C ~ 175°C(TJ)
管装