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产品属性
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一、参数
型号:SI1912EDH
品牌:VISHAY
封装:SC70-6
类别:MOSFET管
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.13A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 450mV @ 100μA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 570mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
包装方式:卷带
标准包装数量:3000PCS
二、SI1912EDH特性
•根据iec61249 -2- 21,无卤代
•电平开关
四、引脚轮廓图
定义
•TrenchFET功率场效应管:1.8 V级
•ESD保护:2000 V
•热增强的sc - 70包
•符合RoHS指令2002 /95/EC
三、应用程序
•负载切换
•PA开关
SI1912EDH
VISHAY
SC70-6
MOSFET管
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
20V
1.13A
280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
450mV @ 100μA()
1nC @ 4.5V
570mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
卷带
3000PCS