TDM3307A TD/泰德代理 MOS场效应

深圳市宏德伟创科技有限公司(美国泰德授权代理）
（原厂原装，美国设计，原厂技术支持，质量保证）

联系人：张小姐 QQ:1027977946

TDM3307A 特点

GENERAL FEATURES

 ‐30V/‐24A

 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=‐4.5V

RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=‐10V

 Reliable and Rugged

 Lead free product is available

 PPAK*3‐8 Package

属性	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	24A(Tc)
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	10.5mΩ @ 13A,10V
最功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	P沟道

针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封装的MOSFET，泰德公司推出全系列的MOSFET：TDM3307A，TDM3452,TDM3458,TDM3478，TDM3564，TDM3408， TDM3412，TDM3436， TDM3482等。详情请联系张小姐，泰德授权代理，可提供技术支持！

型号/规格

TDM3307A

品牌/商标

美国泰德Techcode

封装形式

DFN33

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装