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产品型号:G110N06 参数:55V 110A 封装:To-251/252
备注:厂家供应 大量现货 量大价优 欢迎选购!
产品: | 场效应管 (MOS管) |
品牌: | GOFORD |
型号: | G110N06 |
FET 型: | N-channel |
VDSS: | 55V |
ID: | 110A |
RDS(no)@4.5V: | 6.2mΩ |
RDS(no)@10V: | 5.2mΩ |
PD: | 120W |
Vgs(th)max (V) | 2V |
Ciss(pF) | 5538 |
封装: | TO-251插件 TO-252 |
包装: | 80个/管 2.5K/盘 |
注:表格料号不全,更多料号请电询或旺旺,谢谢!
深圳市谷峰电子有限公司,于1995年在香港成立,并于2000年在深圳成立深圳公司,并在江苏设立分公司。多年来一直从事于半导体元器件的研发、生产和销售。我们在国内外建有自主研发的团队,研发产品在国内和国外的大型半导体工厂投片生产。我们与国内的多家封装工厂有很好的合作,从而保证产品的优质品质。 我们竭诚欢迎与大家合作,以优质的产品和服务取得共赢。
谷峰电子在巩固和深入原有半导体产品的基础上,主要加强对MOSFET产品的研发、生产和销售。
谷峰电子欢迎新老朋友、厂家及各地的分销商来电商谈合作事宜!
谷峰电子是您永远值得信赖的伙伴!
GOFORD
G110N06
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
独立站
欧洲,北美,南美,东南亚,东北亚
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G110N06
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