供应集成电路BSO220N03MD G
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 产品种类: | MOSFET | |
| 制造商: | Infineon | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SO-8 | |
| 通道数量: | 2 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V, 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 7.7 A, 7.7 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 18.3 mOhms, 18.3 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V, 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V, 1 V | |
| Qg-栅极电荷: | 10 nC, 10 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | OptiMOS | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | 2 N-Channel | |
| 下降时间: | 3.4 ns, 3.4 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 9 S, 9 S | |
| 高度: | 1.75 mm | |
| 长度: | 4.9 mm | |
| Pd-功率耗散: | 2 W | |
| 上升时间: | 2.8 ns, 2.8 ns | |
| 系列: | OptiMOS 3M | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 6.4 ns, 6.4 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 5.7 ns, 5.7 ns | |
| 宽度: | 3.9 mm | |
| 零件号别名: | BSO220N03MDGXT BSO220N03MDGXUMA1 SP | |
| 单位重量: | 540 mg |
\tMOSFET
Infineon
RoHS
\tSi
