供应氧化铝氮化铝0.635mm LED用高结合度高

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陶瓷基板,是以电子陶瓷为基础,对电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点。主要种类有:
A: 96/99氧化铝陶瓷基片:应用范围广,价格低廉。
B:氮化铝陶瓷基片:导热系数高,无毒,可代替BeO陶瓷基片。
C:氮化硅陶瓷基片:强度高,虽导热系数比不上氮化铝陶瓷,但可以通过减小厚度来减小热阻。
D: BeO陶瓷基片:迄今为止较好的绝缘性陶瓷,但加工时产生的粉末会对人体产生毒害作用。
E:滑石瓷:高频性能好,成本低。
F:铁氧体陶瓷片:可以减小电路体积,用于制作射频微带线及滤波电路。
G:超大规格陶瓷片
应 用:
H:抛光类陶瓷基片,可进行单、双面抛光加工,表面光洁度经抛光处理后达到Ra:0.03-0.05μm,无孔洞现象,产品适合体积小、精度高、布线密度高。

陶瓷电路板陶瓷基金属化基板拥有良好的热学和电学性能,是功率型LED封装、紫光、紫外的更佳材料,特别适用于多芯片封装(MCM)和基板直接键合芯片(COB)等的封装结构;同时也可以作为其他大功率电力半导体模块的散热电路基板,大电流开关、继电器、通信行业的天线、滤波器、太阳能逆变器等。
我公司采用激光快速活化金属化技术(Laser Activation Metallization,简称LAM技术),利用高能激光束将陶瓷和金属离子态化,让它们长在一起使他们牢固的结合在一起。
可大规模生产单面、双面陶瓷线路板,可实现通孔盲孔的金属化产品,产品质量稳定性好,在许多领域具有十分广泛的用途。
      陶瓷基板表面金属化技术(即在陶瓷材料表面制作导电线路)是伴随着电子元器件的发展而发展的,每一代器件都需要相对应的封装形式和技术。以集成电路所需的微电子封装为例,从一阶段的通孔安装时代,到20世纪80年代第二阶段的表面贴装器件时代,再到90年代的第三阶段的球栅阵列封装时代,并且近十年不断有新的封装形式涌现并得以应用,例如:多芯片封装(Multi Chip Package);三维叠层封装(Stack Package);单封装系统(System In a Package);多芯片模组(Multi Chip Module)以及将整个系统的功能集成在单芯片上的SOP(System On a Chip)等等,这使得晶片级、芯片级、组装级、系统级的界线逐渐模糊,原来一些仅仅用于晶片级的技术已经开始用于组装级封装。众多大学和企业(包括IBM、惠普、摩托罗拉、西门子、三菱、日立等等)都对研发这类技术充满热情。这其中包括薄膜法、厚膜法、直接敷铜法、激光直写技术等等。 

型号/规格

35*35

品牌/商标

斯利通

型号

35*35

品牌

斯利通

金属层

介电系数