供应H5AN4G6NAFR H5AN4G6NAFR-UHC DDR4 DRAM-4Gbit现货供应

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供应H5AN4G6NAFR H5AN4G6NAFR-UHC 包装1600一个包,托盘包装,封装FBGA96,薄体积的,品牌海力思,英文名

SKHYNIX。 DDR4 DRAM-4Gbit-1200MHz-16bit-1.2V-FBGA96(无铅) 

以下是规格书中的中文解释说明应用:

 H5AN4G6NAFR

H5AN4G8NAFR-xxI,H5AN4G8NAFR-xxC H5AN4G6NAFR-xxCH5AN4G6NAFR-xxI 4 gb CMOS双数据速率IV(DDR4)同步DRAM,适合主内存的应用程序需要大内存密度和高带宽。SK海力士4 gb DDR4更快提供完全同步的操作参考时钟的上升和下降的边缘。尽管所有地址和控制输入锁存的边缘上升的CK(CK)的边缘下降,数据,数据用闪光灯和面具写入数据输入采样在上升和下降的边缘。内部管道和数据路径
8位预取的实现非常高的带宽。

特性

•VDD v = VDDQ = 1.2 + / - 0.06 v
完全微分时钟输入(CKCK)操作
斯特罗布微分数据(dq,dq)
在芯片DLL对齐DQDQDQCK过渡转型
•DM面具写数据输入的数据选通脉冲的上升和下降的边缘
所有地址和控制输入数据,除了数据闪光灯和数据面具锁定在时钟的上升的边缘
可编程CAS延迟911121314151617181920
可编程添加剂延迟0 CL-1CL-2支持(x4 /×8)
可编程CAS写延迟(CWL)= 9,101112141618
可编程脉冲时间4/8啃顺序和交错模式
提单开关
•16家银行
平均刷新周期(Tcase 0摄氏度~ 95 oC)- 7.8μs0摄氏度~ 85 oC - 3.9μs85~ 95
电平标准78FBGA(x4 /×8),96FBGA()
驱动力量
在死亡终止支持动态
两个终止状态如RTT_PARKRTT_NOM ODT销可切换的
异步复位销支持
•ZQ校准支持
•TDQS(终止数据选通)支持(×8)
Levelization支持
•8位预取
本产品符合RoHS指令。
内部Vref DQ级代是可用的
支持写CRC速度等级
最大的节电模式支持
•TCAR(温度控制自动刷新)模式的支持
•LP ASR(低功率自动自我刷新)模式是支持的
支持细粒度更新
支持每DRAM可寻址能力
•Geardown模式(1/2,1/4)的支持
可编程的序言读和写的支持
支持自我刷新中止
•CA平价(命令/地址平价)模式是支持的
银行应用分组,中科院CAS延迟(tCCD_L tCCD_S)对银行在同一或differentbank组访问是可用的
•DBI(数据总线反演)支持(×8 /)


H5AN4G6NAFR

DDR4

封装

FBGA96

原装海力思

H5AN4G6NAFR

H5AN4G6NAFR-UHC

96PIN