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南京泓陆电子科技有限公司 制造商: NXP 环保:ROHS
产品种类:MOSFET Vds-漏源极击穿电压:55 V Vgs-栅源极击穿电压 :15 V Id-连续漏极电流:110 A Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms 最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:203 W 封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns 典型关闭延迟时间:131 ns 工厂包装:50只/管,20管/包
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Vgs-栅源极击穿电压 :15 V Id-连续漏极电流:110 A Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms 最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:203 W 封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns 典型关闭延迟时间:131 ns 工厂包装:50只/管,20管/包
Vgs-栅源极击穿电压 :15 V
Id-连续漏极电流:110 A Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms 最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:203 W 封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns 典型关闭延迟时间:131 ns 工厂包装:50只/管,20管/包
Id-连续漏极电流:110 A
Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms 最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:203 W 封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns 典型关闭延迟时间:131 ns 工厂包装:50只/管,20管/包
Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms
最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:203 W 封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns 典型关闭延迟时间:131 ns 工厂包装:50只/管,20管/包
最小工作温度:- 55 C
Pd-功率耗散:203 W 封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns 典型关闭延迟时间:131 ns 工厂包装:50只/管,20管/包
Pd-功率耗散:203 W
封装 :SOT78/TO-220AB 下降时间: 86 ns 上升时间:123ns
封装 :SOT78/TO-220AB
下降时间: 86 ns 上升时间:123ns
下降时间: 86 ns
上升时间:123ns
典型关闭延迟时间:131 ns
工厂包装:50只/管,20管/包
BUK9508-55B
NXP
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