SI7617DN-T1-GE3 全新原装 现货特价

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SI7617DN-T1-GE3 参数漏源电压栅源电压TC= 25 °CTC= 70 °CTA= 25 °CTA= 70 °CTC= 25 °CTA= 25 °CL = 0.1 mH的TC= 25°CTC= 70 °CTA= 25 °CTA= 70 °C符号VDSVGS极限- 30± 25- 35d- 35d- 13.9A,B- 11.1A,B- 60- 35d- 3.0A,B- 294252333.7A,B2.4A,B- 55〜 150260单位V连续漏电流(TJ= 150 °C)ID漏电流脉冲连续源极 - 漏极二极管电流雪崩电流单脉冲雪崩能量IDMISIASEASAmJ最大功率耗散PDW工作结存储温度范围焊接建议(峰值温度)E,FTJ, T英镑°C热电阻额定值参数最大结点到环境A,C最大结到外壳t≤10 s稳定状态符号RthJARthJC典型261.9最大332.4单位° C / W注意事项:一。表面安装在1" X 1" FR4板。B 。 T = 10秒。Ç 。在稳态条件下最大为81 ° C / W 。e 。包装有限。Ë 。见焊接温度曲线 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出敷铜每(未镀),为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证,并不要求保证足够的底侧的焊料互连。F。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
型号

SI7617DN-T1-GE3

品牌

VISHAY

年份

17+

封装

QFN8

数量

9243