供应MOSFET_STF19NM50N原装现货

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

Qg-栅极电荷: 34 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

系列: N-channel MDmesh  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 17 ns  

上升时间: 16 ns  

工厂包装数量: 1000  

典型关闭延迟时间: 61 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns  

单位重量: 330 mg  

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

从名字表面的角度来看的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。。

在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是。

里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。