供应IRLML6402TRPBF

制造商零件编号 IRLML6402TRPBF

描述

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 P 沟道 pval(2068) 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23

数据列表 IRLML6402PbF;

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 633pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 Micro3™/SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

文档

仿真模型 IRLML6402 Spice Model

IRLML6402TR Spice Model

IRLML6402TRPBF Saber Model

其它有关文件 Part Number Guide

设计资源 IRLML6402TR Saber Model

PCN 封装 Barcode Label Update 24/Feb/2017

Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018

Package Drawing Update 19/Aug/2015

Packing Material Update 16/Sep/2016

PCN 组件/产地 Assembly Site Addition 13/Mar/2015

Assembly Site Addition 17/Dec/2014

图像和媒体

产品相片 SOT-23-3

产品培训模块 Discrete Power MOSFETs 40V and Below

High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

特色产品 Data Processing Systems