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产品属性
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产品详情
数据列表 IPB107N20N3G
标准包装 1,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 OptiMOS™
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 88A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 10.7 毫欧 @ 88A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 87nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 7100pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
IPB107N20N3G
INFINEON(英飞凌)
19+ 20+
TO-263
原装进口 假一罚十
仅供参考下单以实物为准