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产品属性
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半导体分立器件泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称二极管、三极管及半导体特殊器件。
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
43.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1630pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
400 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
STW11NM80
ST
800V
\t11A(Tc)
10V
\t5V @ 250μA