STW11NM80
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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半导体分立器件泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称二极管、三极管及半导体特殊器件。
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1630pF @ 25V
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
400 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
STW11NM80
ST
800V
\t11A（Tc）
10V
\t5V @ 250μA
