高分辨率铟镓砷短波红外芯片
地区：陕西 西安
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无
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FPA-640*512 InGaAs Imager（0.9um-1.7um）
此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术，尤其是在非制冷条件下的优化解决方案，CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列，CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。灵敏度可以通过使用嵌入式TEC进一步提高，高可靠性可以通过密封金属封装来实现。
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FPA-640*512说明
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参数 |
单位 |
最小值 |
最大值 |
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工作温度范围 |
℃ |
-20 |
+85 |
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储存温度范围 |
℃ |
-40 |
+85 |
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功耗 |
mW |
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325 |
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TEC 电流 |
A |
--- |
1.8 |
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TEC 电压 |
V |
--- |
15.4 |
FPA Characteristics（FPA特性）
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参数 |
典型值 |
条件 |
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光谱响应 |
0.9-1.7um |
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最小像素的可操作性 |
>99% |
636*508内的中心地区 |
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暗电流 |
<0.2PA |
25℃,0.1V探测器偏压 |
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量子效率 |
>70% |
λ=1.0um-1.6um |
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探测率 |
≥5*1011 jones |
25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
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响应非均匀性 |
<10% |
饱和度低于50%,25℃ |
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非线性(最大偏差) |
<2% |
超过15%-85%全阱容量，低增益 |
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最大像素率 |
10MHz |
--- |
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增益 |
High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e- |
25℃ |
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TEC 制冷 |
ΔT>70℃ |
无需加载 |
FPA-640×512-K
中华立鼎
640×512
铟镓砷
TE1
25um
