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产品属性
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规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3183pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
99W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.3 毫欧 @ 70A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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IRFB7446
IR
TO-220
直插式
SN65HVD231DR收发器功能参数
SN65HVD75DR RS-485接口芯片
LMV321IDBVR运算放大器TI德州仪器
通用比较器LM393DT
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