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产品属性
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规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.55V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
340pF @ 12.5V
Vgs(最大值)
+10V,-8V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.3W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
24 毫欧 @ 4A,8V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
6-SON
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
公司专注于品牌:英飞凌(INFINEON)、安森美(ON)、微芯(Microchip)、德州仪器(TI/BB)。公司拥有一支专业服务团队,严格的品质管理、优异的技术支持服务,使得我们公司提供的货物品质一流。
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CD40106BM96
TI
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