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产品属性
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规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.5A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
0.75V @ 30μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1347pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
22 毫欧 @ 7.5A,2.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TSOP6-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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INFINEON
SOP
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