供应IR场效应MOS管IRF3710 IRFB3607 IRF1010N 封装TO-220

IRF3710 场效应管参数制造商产品编号: IRF3710

系列: MOSFET

沟道: N

耗散功率 (Pd): 200

漏源反向电压 (Vds): 100

栅源反向电压 (Vgs): 10

漏极电流(连续) (Id): 57

最高结温 (Tj), °C: 150

上升时间 (tr):

输出电容 (Cd), pF:

通态电阻 (Rds), Ohm: 0.025

封装形式: TO220AB

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