储能逆变光耦 TD3120R DIP8 安全可靠

TD3120R光耦的特点：

TD3120R天电光耦的原理：

TD3120R栅极驱动光耦包含一个GaAsP LED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。
栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。

TD3120R应用电路图

TD3120R光耦的应用：

广泛的运用于工业逆变器，不间断电源，感应加热，IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动，大功率器件及功率模块驱动。

注意事项

1. 为了保证电压的稳定，防止电压突变损坏IGBT，需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。

2. IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，反并二极管正在反向恢复过程时，就会有很大的dv/dt加于CE两端，由于米勒电容的存在，I=C*du/dt，将会产生瞬间电流流向驱动电路，与栅极电阻作用，将产生电压，此电压若超过IGBT栅极开启电压，则会造成IGBT误触发导通，因此提供负偏压-Vge能有效防止误触发，建议VE接负压。

3. 通常情况下，如果VGE过高，一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，容易损坏IGBT，因此综上所述，实际工作时，建议VCC=+15V，VEE= -15V