供应双向可控硅 晶闸管原装封装恩智浦NXP BT132-600D
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双向可控硅 晶闸管原装封装恩智浦NXP BT132-600D
采用SOT78塑料封装的平面钝化敏感门极四象限三端
双向可控硅用于通用双向开关和相位控制应用。这种
超敏感门极“D系列”三端双向可控硅用于直接连接微
控制器、逻辑集成电路和其他低功耗门极触发电路。
特性和优势
直接连接逻辑电平IC
直接连接低功耗门极驱动器和微控制器
更强的电流浪涌耐受能力
高阻断电压能力
凭借平面钝化结构实现电压稳固性和可靠性
所有四个象限中的触发
超敏感门极
应用
空调室内风扇控制
电池供电的应用
通用开关和相位控制
| VDRM | repetitive peak off-state voltage |
|
|
|
600 | V |
| IT(RMS) | RMS on-state current | full sine wave; Tlead ≤ 51 °C |
|
|
1 | A |
| ITSM | non-repetitive peak on-state current | full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 20 ms |
|
|
16 | A |
| ITSM | non-repetitive peak on-state current | full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 16.7 ms |
|
|
17.5 | A |
| Tj | junction temperature |
|
|
|
125 | °C |
| IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+; Tj = 25 °C |
|
2 | 5 | mA |
| IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-; Tj = 25 °C |
|
2.5 | 5 | mA |
| IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-; Tj = 25 °C |
|
2.5 | 5 | mA |
| IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+; Tj = 25 °C |
|
5 | 10 | mA |
| IH | holding current | VD = 12 V; Tj = 25 °C |
|
1.2 | 10 | mA |
| VT | on-state voltage | IT = 5 A; Tj = 25 °C |
|
1.4 | 1.7 | V |
| dVD/dt | rate of rise of off-state voltage | VDM = 402 V; Tj = 125 °C; (VDM = 67% of VDRM); exponential waveform; RGT1(ext) = 1 kΩ |
|
5 |
BT132-600D
NXP恩智浦
双向
三级
塑料封装
平板型
普通
带散热片
低频
大功率
1A
1mA
1A
1A
SIP3
