供应 FDV301N FAIRCHILD 原装现货 假一罚十

地区:广东 深圳
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一般信息
数据列表 FDV301N;
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;
标准包装   3,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.06V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


型号

FDV301N

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3