MMBT5401 TWGMC三极管(BJT)

MMBT5401晶体管（PNP）
MMBT5401

特征
MMBT5401

对MMBT5551的补充


适合中等功率放大和开关


标记：2L


大额定值（TA=25℃，除非另有说明）


符号参数值单位


VCBO集电极基极电压-160 V


VCEO集电极-发射极电压-150 V


VEBO发射极基极电压-5 V


IC集电极电流-连续-0.6 A


PC集电极功耗0.3 W


Tj结温150℃


Tstg储存温度-55-150℃


电气特性（Tamb=25℃，除非另有规定）


参数符号测试条件大单位


集电极基极击穿电压


V（BR）CBO IC=-100μA，即=0


v


集电极-发射极击穿电压


V（BR）CEO IC=-1mA，IB=0 V


发射极-基极击穿电压


V（BR）EBO IE=-10μA，IC=0-5


v


集电极截止电流ICBO VCB=-120 V，IE=0-0.1


μA


发射极截止电流IEBO VEB=-4V，IC=0-0.1


μA


hFE1 VCE=-5V，IC=-1mA 80


hFE2 VCE=-5V，IC=-10mA 100 300


直流电流增益


hFE3 VCE=-5V，IC=-50mA 50


集电极-发射极饱和电压


VCE（sat）IC=-50 mA，IB=-5 mA-0.5


v


基极发射极饱和电压


VBE（sat）IC=-50 mA，IB=-5 mA-1


v


过渡频率


VCE=-5V，IC=-10mA


100兆赫