S9014 High Diode 三极管(BJT)

S9014符号参数值单位


集电极基极电压50伏


VCEO集电极-发射极电压45 V


VEBO发射极基极电压5 V


集成电路集电极电流100毫安


PC集电极功耗200 mW


RΘJA结到环境温度的热阻625℃/W


Tj结温150℃


Tstg贮存温度-55～+150℃


电气特性（Ta=25℃，除非另有规定）

S9014
J6


S9 014


SOT-23塑料封装晶体管


晶体管（NP N）


对S9015的补充


参数符号测试条件小典型大单位


集电极基极击穿电压V（BR）CBO IC=100μA，IE=0.50V


集电极-发射极击穿电压V（BR）CEO IC=0.1mA，IB=0.45V


发射极-基极击穿电压V（BR）EBO IE=100μA，IC=0.5V


集电极截止电流ICBO VCB=50 V，IE=0.1μA


集电极截止电流ICEO VCE=35V，IB=0.1μA


发射极截止电流IEBO VEB=3V，IC=0.1μA


直流电流增益hFE VCE=5V，IC=1mA 200 1000


集电极-发射极饱和电压VCE（sat）IC=100 mA，IB=5 mA 0.3 V


基极发射极饱和电压VBE（sat）IC=100 mA，IB=5 mA 1 V


过渡频率


VCE=5V，IC=10mA


f=30MHz 150 MHz