NT5CB128M16IP-EK 存储器

符合JEDEC DDR3标准


-8n预取体系结构


-差分时钟（CK/) 和数据选通（DQS/)


-DQs、DQs和DM上的双数据速率


 数据完整性


-通过DRAM内置TS自动自刷新（ASR）


-自动刷新和自刷新模式


 节能模式


-部分阵列自刷新（PASR）1


-断电模式


 CAS延迟（6/7/8/9/10/11/13/14）


 CAS写入延迟（5/6/7/8/9/10）


 加性潜伏期（0/CL-1/CL-2）


 写入恢复时间（5/6/7/8/10/12/14/16）


 突发类型（顺序/交错）


 突发长度（BL8/BC4/BC4或8动态）


可编程功能


 自刷新温度范围（正常/扩展）


 输出驱动器阻抗（34/40）


 Rtt_Nom（20/30/40/60/120）的模具端接


 Rtt_WR（60/120）的模具端接


 预充电断电（慢/快）


 信号完整性


-系统兼容性的可配置DS


-可配置的模具端接


-DS/ODT阻抗精度的ZQ校准


外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）


 信号同步


-通过MR设置6进行写入均衡


-通过MPR读取水平


 接口和电源


-DDR3的SSTL_15:VDD/VDDQ=1.5V（±0.075V）


-SSTL_1353


对于DDR3L:VDD/VDDQ=1.35V（-0.067/+0.1V）


特征


密度和寻址


组织机构256Mb x 8 128Mb x 16


银行地址BA0–BA2 BA0–BA2


自动预充电A10/AP A10/AP


动态BL开关A12/ A12/


行地址A0–A14 A0–A13


列地址A0–A9 A0–A9


页面大小1KB 2KB


特雷菲（美国）


4温度<=85℃：7.8，温度>85℃：3.9


tRFC（ns）5160NS


包装/密度信息


无铅RoHS合规性和无卤素


2Gb


（组织）包装）


长度x宽度


（毫米）


球距


（毫米）


256Mbx8


78球


VFBGA


8.00 x 10.50 0.80


128Mbx16 96球


VFBGA


8.00 x 13.00 0.80


 速度等级（CL-TRCD-TRP）2


-2133 Mbps/14-14-14


-1866Mbps/13-13-13


-1600 Mbps/11-11-11


选择权


NTC有权更改任何规格或产品，恕不另行通知。


 温度范围（Tc）4


-商业等级=0℃~95℃


-准工业级（-T）=-40℃~95℃


-工业级（-I）=-40℃~95℃


-汽车2级（-H）=-40℃~105℃


-汽车3级（-A）=-40℃~95℃