igbt 模块电容

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igbt 模块电容 

1. MKP-HA igbt 模块电容  产品特点:


1.迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂灌注;

2.镀锡铜线轴向引出;

3.耐高压,损耗(tgδ)小,温升低;

4.自感(ESL)小,等效串联电阻(ESR)小;

5.高脉冲电流,高dv/dt承受能力。


2. MKP-HA igbt 模块电容  性能参数:



工作温度范围/Operating temperature range

Max. Operating temperature, Top max:+85

Upper category temperature:+85

Lower category temperature:-40

容量范围/Capacitance range

0.1~5.6μF

额定电压Un/Rated voltage Un

1000V.DC~2000V.DC

容量偏差/Cap.tol

±5%(J); ±10%(K);

耐电压/Withstand voltage

1.5Un DC/10S

损耗角正切/Dissipation factor

tgδ≤0.0005  C1μF  f=10KHZ

tgδ≤0.0008  C1μF  f=10KHZ

绝缘电阻/Insulation resistance

C0.33μF   Rs15000MΩ  (at 20  100V.DC)

C0.33μF   Rs×C5000S  (at 20  100V.DC)

耐脉冲电流冲击/Withstand strike current

见附表

引用标准/Reference standard

IEC61071IEC61881














 

3.MKP-HA igbt 模块电容   外形图


4.MKP-HA igbt 模块电容    应用:



1.IGBT缓冲吸收;

2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护.


5.MKP-HA igbt 模块电容   应用典型线路图:





6. MKP-HA igbt 模块电容  规格:



Cn(μF)

Part  number

Outline size(mm)

Ф(mm)

ESR@1KHZ

 (mΩ)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk (A)

Irms       @40/10KHZ   (A)

W(±1)

T(±1)

H(±1)

Un  630V.DC, Urms 400V.AC, Us 945V

0.33

HA334K00630□□

32

12

20

1

13

22

200

66

6.5

0.47

HA474K00630□□

32

14.5

22.5

1

11

21

220

103.4

8.3

0.68

HA684K00630□□

32

18

26

1

10

20

180

122.4

9.5

1

HA105K00630□□

37

11

19

1

8

28

150

150

7.6

1.5

HA155K00630□□

37

13.5

21.5

1

7

27

150

225

9.5

2

HA205K00630□□

37

16

24

1.2

6

24

130

260

10.2

2.5

HA255K00630□□

37

18

26

1.2

5.5

25

120

300

10.5

3

HA305K00630□□

37

20

28

1.2

5

30

110

330

10.8

3.3

HA335K00630□□

37

21

29

1.2

4.5

30

110

363

11.2

4

HA405K00630□□

57

27

36.5

1.2

4.2

32

220

880

12.8

4.7

HA475K00630□□

57

28

40.5

1.2

3.8

32

200

940

13.8

5.6

HA565K00630□□

57

31

33.5

1.2

3.5

32

185

1036

13.5

6.8

HA685K00630□□

37

29

41.5

1.2

2.5

28

100

680

13.8

6.8

HA685K00630□□

57

34

46.5

1.2

2.8

30

180

1224

14.2

Un  1000V.DC, Urms 500V.AC, Us 1500V

0.15

HA154K01000□□

32

10

17.5

0.8

20

20

1100

165

5.5

0.22

HA224K01000□□

32

12

20

1

15

21

1000

220

7.3

0.33

HA334K01000□□

32

15.5

23

1

13

21

1000

330

8.7

0.47

HA474K01000□□

32

18.5

26

1.2

10

23

1000

470

10.5

0.47

HA474K01000□□

44

14

22

1.2

9

24

900

423

9.5

0.68

HA684K01000□□

32

20

32.5

1.2

7

25

900

612

10.8

0.68

HA684K01000□□

44

17

25

1.2

6

26

800

544

10.2























PS;特殊需要可根据客户要求另行设计。


更多  MKP-HA igbt 模块电容  的资讯,请与我们联系。

 

 



  我们保证您收到的每一块创仕鼎电容都源自我们成熟的生产工艺以及严格的质检环节!以下为大家简单的介绍下我们的生产及质检过程!


  生产工艺流程图

  我们的生产设备


  卷绕机: 卷绕机采用国际知名品牌的卷绕机,该卷绕机采用单片机模式,由门路IC控制精度高,效率好,是世界领先的卷绕设备。


  真空热压:我司生产的电容全部采用真空热压的方式,该方式可以完全的去除掉电容芯子中的气泡,使膜层达到最完美的贴合状态,保证容量的稳定性


  电弧式喷金: 喷焊采用电弧式喷金方式,覆盖全面,且喷金厚度均匀,效率高,达到国际领先水平。


  真空灌注: 我司采用真空灌注方式灌胶。该生产方式温度由温控设备恒温控制,使环氧树脂完全反应。因此,我司生产的电容内部不含气泡,达到完全绝缘,且耐高压,耐高温。


  我们的品质检测


  我司产品在批量生产时,每一道工序都要经过QC的严格检验。产品在芯子热压成型时采用恒温控制,有效的避免了由于温度急速变化带来的物理反应导致芯子的损害,也使芯内部薄膜与薄膜之间紧密贴合,消除气泡,降低电容器在使用时候的噪音。这是我司的一大特色工艺。


  我司产品在生产完成后采用全部电检的方式,通过对C/Tv/IR/DF四大项的全部检测,来筛选出合格的产品。其检测设定数值在客户要求的基础上提高到2倍,优于国际规定的1.6倍,以此来保证出厂的产品全部100%合格


  我司产品在出货之前,由专门的QC人员对C/Tv/IR/DF及外观尺寸、印字等抽检。产品通过检测后,由专门的送货人员或物流处理。我司已与多家国际物流签订协议,确保产品能够完好无损的运输到客户的手中。


型号/规格

MKP-HA IGBT 缓冲吸收薄膜电容器

品牌/商标

DIN(创仕鼎)

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

产品主要用途

工业电力电气设备

引出线类型

轴向引线型

特征

扁型

标称容量范围

0.1~5.6

额定电压范围

1000V~2000V.DC

温度系数范围

-40~+85