IGBT吸收电容器(接线片) C38 MKP-HS 缓冲吸收电容

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IGBT吸收电容器(接线片)

1.IGBT吸收电容器(接线片) 产品特点：

1.塑料外壳封装，阻燃环氧树脂灌注；

2.镀锡铜插片引出，方便IGBT各种孔距安装；

3.耐高压，损耗(tgδ)小，温升低；

4.自感(ESL)小，等效串联电阻(ESR)小；

5.高脉冲电流，高dv/dt承受能力。

2.IGBT吸收电容器(接线片) 性能参数：

工作温度范围/Operating temperature range	Max. Operating temperature, Top max:+105℃ Upper category temperature:+85℃ Lower category temperature:-40℃
容量范围/Capacitance range	0.1~5.6μF
额定电压Un/Rated voltage Un	700V.DC~3000V.DC
容量偏差/Cap.tol	±5%(J); ±10%(K);
耐电压/Withstand voltage	1.5UnDC/10S
损耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHZ tgδ≤0.0010 C≤1μF f=10KHZ
绝缘电阻/Insulation resistance	C≤0.33μF Rs≥15000MΩ (at 20℃ 100V.DC) C≤0.33μF Rs×C≥5000S (at 20℃ 100V.DC)
耐脉冲电流冲击/Withstand strike current	见附表
阻燃性/Flame retardation	UL94V－0
引用标准/Reference standard	IEC61071；IEC61881

3.IGBT吸收电容器(接线片) 外形图：

4.IGBT吸收电容器(接线片) 应用：

1.IGBT缓冲吸收

2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压，尖峰电流吸收保护

5.IGBT吸收电容器(接线片) 应用典型线路图：

6.IGBT吸收电容器(接线片) 部分规格：

Cn (μF)	Part number	Outline size(mm)			Type	ESR @1KHZ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms @40℃/10KHZ (A)
Cn (μF)	Part number	W(±1)	T(±1)	H(±1)	Type	ESR @1KHZ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms @40℃/10KHZ (A)
Un 700V.DC, Urms 400V.AC, Us 1050V
0.47	HS474K00700□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	12	25	500	235	8
0.68	HS684K00700□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	10	25	480	326.4	10
1	HS105K00700□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	8	24	450	450	12
1.5	HS155K00700□□	42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	7	25	430	645	5
2	HS205K00700□□	42.5	33	35.5	A/B/C/D	6	24	420	840	15
2.5	HS225K00700□□	42.5	33	45	A/B/C/D	6	23	400	1000	18
3	HS305K00700□□	42.5	33	45	A/B/C/D	5.5	22	380	1140	20
3	HS305K00700□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	5	26	350	1050	22
3.5	HS355K00700□□	42.5	33	45	A/B/C/D	5	23	350	1225	25
3.5	HS355K00700□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	6	25	300	1050	22
4.7	HS475K00700□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	5	28	280	1316	25
5.6	HS565K00700□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	4	30	250	1400	25
6	HS605K00700□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	3.5	33	230	1380	28
6.8	HS685K00700□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	3.2	32	220	1496	32
8	HS805K00700□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	2.8	30	200	1600	33
Un 1000V.DC, Urms 500V.AC, Us 1500V
0.47	HS474K01000□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	11	25	1000	470	10
0.68	HS684K01000□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	8	25	800	544	12
1	HS105K01000□□	42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	6	24	800	800	15
1.5	HS155K01000□□	42.5	33	45	A/B/C/D	6	24	700	1050	15
2	HS205K01000□□	42.5	33	45	A/B/C/D/E	5	22	700	1400	20
2.5	HS255K01000□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	5	30	600	1500	22
3	HS305K01000□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	4	30	600	1800	25
3.3	HS335K01000□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	3.5	28	550	1815	25
3.5	HS355K01000□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	3.5	28	500	1750	25
4	HS405K01000□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	3.2	26	500	2000	28
4.7	HS475K01000□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	3	25	420	1974	30
5.6	HS565K01000□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	2.8	24	400	2240	32

Cn (μF)	Part number		Outline size(mm)			Type	ESR @1KHZ (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms @40℃/10KHZ (A)
Cn (μF)	Part number		W(±1)	T(±1)	H(±1)	Type	ESR @1KHZ (mΩ)	ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk (A)	Irms @40℃/10KHZ (A)
Un 1200V.DC, Urms 500V.AC, Us 1500V
0.47	HS474K01200□□		42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	11	24	1200	564	10
0.68	HS684K01200□□		42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	7	23	1100	748	12
1	HS105K01200□□		42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	6	22	800	800	14
1.5	HS155K01200□□		42.5	33	45	A/B/C/D	5	20	800	1200	15
2	HS205K01200□□		57.5	30	45	A/B/C/D/E	4	30	750	1500	20
2.5	HS255K01200□□		57.5	35	50	A/B/C/D/E	4	28	700	1750	25
3	HS305K01200□□		57.5	35	50	A/B/C/D/E	4	27	600	1800	25
3.3	HS335K01200□□		57.5	38	54	A/B/C/D/E	4	27	550	1815	28
3.5	HS355K01200□□		57.5	38	54	A/B/C/D/E	3.5	25	500	1750	28
4	HS405K01200□□		57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	3.5	25	450	1800	30
Un 1700V.DC, Urms 575V.AC, Us 2250V
0.33		HS334K01700□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	12	25	1300	429	9
0.47		HS474K01700□□	42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	10	24	1300	611	10
0.68		HS684K01700□□	42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	8	23	1300	884	12
1		HS105K01700□□	42.5	33	45	A/B/C/D	7	22	1200	1200	15
1.5		HS155K01700□□	42.5	33	45	A/B/C/D	6	22	1200	1800	18
1.5		HS155K01700□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	5	31	1200	1800	20
2		HS205K01700□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	5	30	1100	2200	22
2.5		HS255K01700□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	4	28	1100	2750	25
3		HS305K01700□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	4	27	700	2100	25
3.3		HS335K01700□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	3.8	26	600	1980	28
3.5		HS355K01700□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	3.5	25	500	1750	30
4		HS405K01700□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	3.2	25	450	1800	32
Un 2000V.DC, Urms 700V.AC, Us 3000V
0.22		HS224K02000□□	42.5	24.5	27.5	A/B/C/D	15	25	1500	330	10
0.33		HS334K02000□□	42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	12	24	1500	495	12
0.47		HS474K02000□□	42.5	33.5	35.5	A/B/C/D	11	23	1400	658	15
0.68		HS684K02000□□	42.5	33	45	A/B/C/D	8	22	1200	816	18
0.68		HS684K02000□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	7	30	1100	748	20
0.82		HS824K02000□□	42.5	33	45	A/B/C/D	7	28	1200	984	22
1		HS105K02000□□	57.5	30	45	A/B/C/D/E	6	28	1100	1100	25
1.5		HS155K02000□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	5	25	1000	1500	28
2		HS205K02000□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	5	24	800	1600	28
2.2		HS225K02000□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	4	23	700	1540	32
Un 3000V.DC, Urms 750V.AC, Us 4500V
0.15		HS154K03000□□	42.5	33	45	A/B/C/D	18	28	2500	375	25
0.22		HS224K03000□□	42.5	33	45	A/B/C/D	15	27	2200	484	28
0.22		HS224K03000□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	15	25	2000	330	20
0.33		HS334K03000□□	57.5	35	50	A/B/C/D/E	12	24	1800	495	20
0.47		HS474K03000□□	57.5	38	54	A/B/C/D/E	11	23	1600	752	22
0.68		HS684K03000□□	57.5	42.5	56	A/B/C/D/E	8	22	1500	1020	28

PS;特殊需要可根据客户要求另行设计

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型号/规格

MKP-HS 缓冲吸收电容

品牌/商标

DIN(创仕鼎）

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

产品主要用途

工业电力电气设备

引出线类型

镀锡铜插片引出

特征

长方型

标称容量范围

0.1~5.6

额定电压范围

700V~3000V.DC

温度系数范围

-40~+85

供应IGBT吸收电容器(接线片) C38 MKP-HS 缓冲吸收电容