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供应 IGBT模块缓冲吸收电容

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 IGBT模块缓冲吸收电容

1. MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容 产品特点:


1.迈拉胶带封装，阻燃环氧树脂灌注；

2.镀锡铜线轴向引出；

3.耐高压，损耗(tgδ)小，温升低；

4.自感(ESL)小，等效串联电阻(ESR)小；

5.高脉冲电流，高dv/dt承受能力。


2. MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容 性能参数:



工作温度范围/Operating temperature range

Max. Operating temperature, Top max:+85℃

Upper category temperature:+85℃

Lower category temperature:-40℃

容量范围/Capacitance range

0.1~5.6μF

额定电压Un/Rated voltage Un

1000V.DC~2000V.DC

容量偏差/Cap.tol

±5%(J); ±10%(K);

耐电压/Withstand voltage

1.5Un DC/10S

损耗角正切/Dissipation factor

tgδ≤0.0005  C≤1μF  f=10KHZ

tgδ≤0.0008  C≤1μF  f=10KHZ

绝缘电阻/Insulation resistance

C≤0.33μF   Rs≥15000MΩ  (at 20℃  100V.DC)

C＞0.33μF   Rs×C≥5000S  (at 20℃  100V.DC)

耐脉冲电流冲击/Withstand strike current

见附表

引用标准/Reference standard

IEC61071；IEC61881














 

3.MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容  外形图：


4.MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容  应用：



1.IGBT缓冲吸收;

2.广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压，尖峰电流吸收保护.


5.MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容  应用典型线路图：





6. MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容  规格：



Cn(μF)

Part  number

Outline size(mm)

Фd (mm)

ESR@1KHZ

 (mΩ)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk (A)

Irms       @40℃/10KHZ   (A)

W(±1)

T(±1)

H(±1)

Un  630V.DC, Urms 400V.AC, Us 945V

0.33

HA334K00630□□

32

12

20

1

13

22

200

66

6.5

0.47

HA474K00630□□

32

14.5

22.5

1

11

21

220

103.4

8.3

0.68

HA684K00630□□

32

18

26

1

10

20

180

122.4

9.5

1

HA105K00630□□

37

11

19

1

8

28

150

150

7.6

1.5

HA155K00630□□

37

13.5

21.5

1

7

27

150

225

9.5

2

HA205K00630□□

37

16

24

1.2

6

24

130

260

10.2

2.5

HA255K00630□□

37

18

26

1.2

5.5

25

120

300

10.5

3

HA305K00630□□

37

20

28

1.2

5

30

110

330

10.8

3.3

HA335K00630□□

37

21

29

1.2

4.5

30

110

363

11.2

4

HA405K00630□□

57

27

36.5

1.2

4.2

32

220

880

12.8

4.7

HA475K00630□□

57

28

40.5

1.2

3.8

32

200

940

13.8

5.6

HA565K00630□□

57

31

33.5

1.2

3.5

32

185

1036

13.5

6.8

HA685K00630□□

37

29

41.5

1.2

2.5

28

100

680

13.8

6.8

HA685K00630□□

57

34

46.5

1.2

2.8

30

180

1224

14.2

Un  1000V.DC, Urms 500V.AC, Us 1500V

0.15

HA154K01000□□

32

10

17.5

0.8

20

20

1100

165

5.5

0.22

HA224K01000□□

32

12

20

1

15

21

1000

220

7.3

0.33

HA334K01000□□

32

15.5

23

1

13

21

1000

330

8.7

0.47

HA474K01000□□

32

18.5

26

1.2

10

23

1000

470

10.5

0.47

HA474K01000□□

44

14

22

1.2

9

24

900

423

9.5

0.68

HA684K01000□□

32

20

32.5

1.2

7

25

900

612

10.8

0.68

HA684K01000□□

44

17

25

1.2

6

26

800

544

10.2























PS;特殊需要可根据客户要求另行设计。


更多  MKP-HA储能式 IGBT模块缓冲吸收电容 的资讯，请与我们联系。

 

 

型号/规格

MKP-HA IGBT 缓冲吸收薄膜电容器

品牌/商标

DIN(创仕鼎）

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

产品主要用途

工业电力电气设备

引出线类型

轴向引线型

特征

扁型

标称容量范围

0.1~5.6

额定电压范围

1000V~2000V.DC

温度系数范围

-40~+85