NVMFS5A160PLZT1G 场效应管 ON(安森美)

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NVMFS5A160PLZT1G 

NVMFS5A160PLZT1G 


品牌
安森美
批号
2123中
封装
SO-8FL / DFN-5
数量
9000
QQ
2355795741
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
晶体管极性
P-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Qg-栅极电荷
160 nC
工作温度
- 55 C
工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
643 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
690 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
645 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
112.540 mg
可售卖地
全国
型号
NVMFS5A160PLZT1G


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型号/规格

NVMFS5A160PLZT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SO-8FL

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装