MSK4300HD三相MOSFET桥加驱动器

MSK4300HD 10安培，75伏，3相MOSFET智能桥梁

特征：

75伏电机电源电压

10安培输出开关能力，全N通道MOSFET输出桥

100%工作循环高压侧导通

适用于从直流到100kHz的PWM应用

射穿/交叉传导保护

欠压闭锁保护

可编程死区控制

桥停堆控制低激活启用

高压隔离加良好热传递的隔离包设计

提供三个导程弯板选项

联系MSK获取MIL-PRF-38534资格状态

MSK4300HD实物拍摄

描述

MSK4300是一个三相MOSFET桥加驱动器在一个方便的隔离密封包。杂种

能够输出10安培电流和75伏直流母线电压。它具有全系列的保护功能，

包括偏压的欠压闭锁保护、交叉导通控制和用户可编程

通过消除射击的死区时间控制。此外，可以使用en（启用）关闭桥接器。

控制。由于采用了电绝缘封装，MSK 4300为MOSFET提供了良好的导热性。

设计允许直接热沉装置无绝缘体。

MSK4300HD

应用说明

AL、BL、CL-是低端逻辑级数字输入。这些

三个输入控制三个低侧电桥晶体管。如果

高端输入低，然后低端输入将控制

桥的低边和高边都有死期

由SWR电阻器设置。en将覆盖这些输入，强制

所有输出低。这些输入可由高达15V的逻辑驱动。

（小于vbias）。内部上拉到vbi

bh，ch-是高端逻辑级数字输入。这些

三个输入控制三个高边电桥晶体管。除非

通过将SWR连接到地面来禁用死区时间，

每个相位的低端输入将覆盖相应的

高端输入。如果SWR是每个相位的低端输入，则

覆盖相应的高端输入。在这种情况下，

接地，死区时间被禁用，输出跟随

输入。在这种情况下，必须避免从外部射穿。

en将覆盖所有输入，强制输出低

Vbias-是门驱动的正电源。这个引脚应该

用至少10μF的电容器去耦至接地。

接地-是Vbias电源的回路。这个引脚应该

与低压场效应晶体管或

电桥底部的感应电阻底部。这个

栅极驱动电流必须通过这个管脚返回，所以跟踪长度

应该保持在限度。所有场地应归还

在桥的底部或以星形方式感应电阻。

这将消除接地回路。

SWR-用于控制顶部之间的死区时间

以及桥的底部晶体管。通过连接一个上拉

在这个引脚和vbias之间的电阻，不同的死区时间可以是

获得。已连接内部100kΩ上拉电阻

内部的。通过增加外部并联电阻，

可以缩短死区时间。通过将此针连接到

接地，消除所有死区。但是，必须小心

以确保逻辑电路产生死区时间

驱动输入。可能发生射穿（顶部和

在给定相位的同时打开底部晶体管，导致

V+电源对地短路）毁坏了桥梁。

V+—是输出电桥顶部的电源连接。

这个插脚必须至少通过一个电容器绕过接地。

最小输出电流每安培10μF，高质量高

频率旁路电容有助于抑制开关噪声。

A_，B_，C_-是

动力桥。

MSK4300HD

en-是网桥的启用输入。这个数字输入，

当拉低时，将按照输入启用桥接器

来自al、bl、cl和ah、bh、ch输入。当拉得很高时，

将覆盖所有其他输入并禁用网桥。它是内部的

拉高到vbias，并且可以由逻辑级别驱动向上

到VBIAS。

rsense是连接到桥底的连接。所有

从桥上流过的电力会从这一点流过，

可以通过连接一个感测电阻来感测。

地面。感测电阻将产生一个成比例的电压

流向水流。大小的值和额定功率

根据需要的电压感测电阻。3伏特

此点与接地之间的最大电压，或损坏

结果就是混合动力车

MSK4300HD