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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 180 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 370 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 80 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
60 V
180 mA
1.2 V
+ 150 C