供应SI7234DP-T1-GE3进口原装现货 假一罚十

开关应用的MOSFET现在可用

死在1米左右的电阻上，并具有能力

手柄85 A，而这些模具的能力代表一个主要的

仅仅是几年前的进展，它是

功率MOSFET封装技术的重要意义

步伐。很明显，一个高的降解。

封装的性能是不理想的。威力帕克

是一个解决这些问题的新封装技术。

在这个应用笔记中，PowerPAK的构造是

描述。以下介绍安装信息

包括土地图案和焊接型材的最大值

可靠性。最后，热和电性能是

讨论。

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 12 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.6 V

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 37 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Dual

Pd-功率耗散: 46 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: SI7  

晶体管类型: 2 N-Channel  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 100 S  

下降时间: 25 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 15 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 90 ns  

典型接通延迟时间: 30 ns  

零件号别名: SI7234DP-GE3  

单位重量: 506.600 mg