供应APTGLQ100A120T3AG Microsemi全新原装 假一罚十

制造商: Microsemi

产品种类: IGBT 模块

RoHS:  详细信息  

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV

集电极—射极饱和电压: 2.05 V

在25 C的连续集电极电流: 185 A

栅极—射极漏泄电流: 150 nA

Pd-功率耗散: 650 W

封装 / 箱体: SP3-32

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 100 C

封装: Tube

商标: Microsemi  

安装风格: Screw  

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V  

工厂包装数量: 1