供应FDB12N50TM

地区:广东 深圳
认证:

深圳市宇集芯电子有限公司

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产品属性  属性值 
制造商: ON Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-263-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 500 V 
Id-连续漏极电流: 11.5 A 
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 4.83 mm  
长度: 10.67 mm  
系列: FDB12N50TM  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 9.65 mm  
商标: ON Semiconductor / Fairchild  
下降时间: 35 ns  
Pd-功率耗散: 165 W  
上升时间: 60 ns  
工厂包装数量: 800  
典型关闭延迟时间: 45 ns  
典型接通延迟时间: 25 ns  
单位重量: 1.312 g
Vds-漏源极击穿电压

500 V

Id-连续漏极电流

11.5 A

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

工作温度

+ 150 C