供应IGBT 模块APTGT50SK170T1G原装

IGBT 模块APTGT50SK170T1G Microsemi原装正品现货

IGBT 模块APTGT50SK170T1G

IGBT 模块APTGT50SK170T1G

IGBT 模块APTGT50SK170T1G

制造商: Microsemi

产品种类: IGBT 模块

RoHS:  详细信息  

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.7 kV

集电极—射极饱和电压: 2 V

在25 C的连续集电极电流: 75 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 312 W

封装 / 箱体: SP-1

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Tube

高度: 11.5 mm  

长度: 51.6 mm  

工作温度范围: - 40 C to + 150 C  

宽度: 40.8 mm  

商标: Microsemi  

安装风格: Chassis Mount  

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V  

产品类型: IGBT Modules  

工厂包装数量: 1  

子类别: IGBTs  

单位重量: 80 g