供应T1G4020036-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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Qorvo的t1g4020036-fs是一个240瓦的峰值(48 W平均)(p3db)离散GaN-on-SiC HEMT由DC至3.5 GHz。该装置是tqgan25hv Qorvo证明构建的过程中,它具有先进的场板技术在高漏极偏压操作条件优化的功率和效率。这种优化可能会降低系统成本方面的放大器线UPS和较低的热管理成本。
无铅和RoHS兼容
评估板可根据要求提供。
关键性能:
频率范围:直流- 3.5千兆赫
输出功率(p3db):260w 2.9 GHz
线性增益:16分贝典型的2.9 GHz
工作电压:36 - 50 V
低热阻封装

特别应用:
民用雷达
干扰器
军用雷达
专业和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器  

深圳市宇集电子主要做偏冷门紧缺IC,连接器,开关,继电器,禁运军工级芯片及陀螺仪、宇航抗辐射级高端产品等海外现货优势订货!一手货源 价格优势,可提供原厂数据包、COC。涉及的品牌有Xilinx ADI Altera Intersil Ti IR Actel Adi等,可接受全系列订货(货期短)请广大客户放心购买 我司承诺绝无虚假产品!


频率值(MHz)

DC

频率值(MHz)

3,500

增益(dB)

16

漏极效率(%)

52