供应T2G6001528-SG射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 15 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 5 A
输出功率: 17 W
Pd-功率耗散: 28 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
配置: Single
工作频率: 6 GHz
系列: T2G
工厂包装数量: 100
零件号别名: 1113256
100 V
5 A
17 W
28 W