供应T1G4020036-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

关键性能
频率范围：直流- 3.5千兆赫
输出功率（p3db）：260w 2.9 GHz
线性增益：16分贝典型的2.9 GHz
工作电压：36 - 50 V

低热阻封装

Qorvo的t1g4020036-fl是2 x 120 W（p3db）宽带输入预匹配的离散GaN-on-SiC HEMT由DC至3.5 GHz和36-50v供电轨。该设备是一个行业标准的空气腔封装，非常适合军事和民用雷达，陆地移动和军用无线电通信，航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲和线性操作。
无铅和RoHS兼容
评估板可根据要求提供。
特别应用：
民用雷达
干扰器
军用雷达
专业和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 16 dB
晶体管极性: N-Channel
输出功率: 260 W
封装: Tray
商标: Qorvo
工作频率: 3.5 GHz
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT